Initialising ...
Initialising ...
Initialising ...
Initialising ...
Initialising ...
Initialising ...
Initialising ...
杉本 雅樹; 吉村 公男; 出崎 亮; 吉川 正人; 麻野 敦資*; 関 修平*; 佃 諭志*; 田中 俊一郎*
no journal, ,
セラミックス前駆体高分子材料のポリカルボシラン(PCS)にイオンビームを照射すると、イオンの飛跡に沿って円筒状の架橋体が形成され、未架橋部分を溶媒で除去後に焼成することでSiCナノファイバーが作製可能である。このSiCナノファイバーの直径は、イオンビームの線エネルギー付与(LET)により制御できる。しかし、現在のイオン加速器で利用可能な最大LET(約15,000ev/nm)のイオンビームを用いても、得られるSiCナノファイバーの直径は20nm以下であり、溶媒洗浄の工程で基板上に倒れてしまうため、触媒材料へ応用する際に必要となる直立構造の形成には至っていない。そこで、SiCナノファイバーの直径を増大させる方法として、イオン照射に電子線照射を組合せた作製方法を開発した。PCS薄膜にオスミウム(
Os
)490MeVを照射した後、電子線を2.4MGy照射し、未架橋部分を溶媒で除去後に1273Kで焼成したところ、得られたSiCナノファイバーの直径は、電子線を照射しない場合に比べて約2倍の40nmまで増大することが明らかになった。これは、架橋が不十分で溶媒で除去されていた外周部のPCS分子鎖が、電子線照射による架橋で溶媒除去の際に溶け残るようになったためである。
O
のLi伝導経路解析井川 直樹; 樹神 克明; 田口 富嗣; 社本 真一
no journal, ,
Liイオン二次電池の正極材料LiMnOついて、高出力化や安定性に関与する重要な因子である結晶構造とLi拡散経路を中性子回折法により解析した。Rietveld解析の結果、室温におけるLiMnOの結晶構造は空間群:
-3
、格子定数
=0.82442(3)nmであり、Li, Mn及びOは各々単位胞中の8
, 16
, 32
サイトを占める。また、LiNiOなどで観察され、Liイオン伝導度低下の一因と考えられるLi-金属サイト間のカチオンミキシングは起こらないことがわかった。最大エントロピー法解析の結果、Liの原子核密度分布は3次元ネットワーク状の広がりを見せることから、Li拡散はこのネットワークに沿って3次元的に生じていると考えられる。
Nナノ材料の創製とその形状制御田口 富嗣; 社本 真一
no journal, ,
本研究では、Si粉末を窒素雰囲気で熱処理するという簡便な方法において、熱処理温度や窒素ガス流量を変化することにより、幾つかの単結晶SiNナノ材料の合成に成功したので報告する。具体的には、熱処理温度が1300
C、窒素ガス流量が0.25l/minと低い場合、SiNナノワイヤーやナノベルトが多く成長した。熱処理温度を1400C、窒素ガス流量を0.75l/minと高くすることで、SiNナノシートの合成に成功した。この結果から、熱処理温度だけでなく、窒素ガス流量もSiNナノ材料の形態変化に重要な影響を及ぼすことを明らかにした。